TS3A24159DGSR Купить - TI Чип аналогового переключателя

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

TS3A24159DGSR

TEXAS INSTRUMENTS TS3A24159DGSR Analog Switch, Dual Channel, SPDT, 2Channels, 0.34Ω, 1.65V to 3.6V, VSSOP, 10Pins

Наличие: 53 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 102.69

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC2104504

Категория продукта:

Чип аналогового переключателя

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

TS3A24159DGSR характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	TS3A24159DGSR
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC2104504
Категория продукта	Чип аналогового переключателя
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	10 Pin
Корпус/Пакет	VSSOP-10
Количество Выходных Интерфейсов	4 Output
Ток Питания	15 nA
Количество Цепей	2 Circuit
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	10 Position
Узлы Напряжения	1.80 V, 2.50 V, 3.00 V, 3.30 V
Ширина Ленты	23 MHz
Количество входов	2 Input
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Полоса пропускания 3 дБ	23 MHz
Напряжение питания	1.65V ~ 3.6V
Напряжение питания (Макс)	3.6 V
Напряжение питания (мин)	1.65 V
Длина	3 mm
Ширина	3 mm
Высота	1.02 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 85℃ (TA)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

TS3A24159DGSR описание продукта

The TS3A24159DGSR is a single-pole double-throw (SPDT) dual bidirectional Analog Switch designed to operate from 1.65 to 3.6V. It offers low on-state resistance and excellent on-state resistance matching with the break-before-make feature, to prevent signal distortion during the transferring of a signal from one channel to another. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance, low On-state resistance and consumes very low power. These are some of the features that make this device suitable for a variety of markets and many different applications.
Specified break-before-make switching
Low on-state resistance (0.3R Maximum)
Low charge injection
Excellent ON-State Resistance Matching
Green product and no Sb/Br
Low Total Harmonic Distortion (THD)
Device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Показывать

TS3A24159DGSR Даташит PDF

27 страницы, 1076 КБ

03/14/2015