NDS355AN Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDS355AN

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS355AN MOSFET Transistor, N Channel, 1.7A, 30V, 0.065Ω, 10V, 1.6V

Наличие: 9,000 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 9.41

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC8094196

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDS355AN характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDS355AN
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC8094196
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	1.70 A
Номинальная Мощность	500 mW
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.065 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	500 mW
Пороговое Напряжение	1.6 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.70 A
Время Нарастания	32 ns
Входная емкость (Ciss)	195pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	5 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500mW (Ta)
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDS355AN описание продукта

The NDS355AN is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild"s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards, other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
High density cell design for extremely low RDS (ON)
Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Показывать

NDS355AN Даташит PDF

7 страницы, 66 КБ

02/19/1998