IPB65R045C7ATMA1 Купить - Infineon Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB65R045C7ATMA1

Infineon

D2PAK N-CH 650V 46A

Наличие: 32 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 593.04

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC12262563

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPB65R045C7ATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB65R045C7ATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC12262563
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальная Мощность	227 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.04 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	227 W
Пороговое Напряжение	3.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	650 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	46A
Время Нарастания	14 ns
Входная емкость (Ciss)	4340pF @400V(Vds)
Время падения	7 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	227W (Tc)
Длина	10.31 mm
Ширина	9.45 mm
Высота	4.57 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB65R045C7ATMA1 описание продукта

The IPB65R045C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFET offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Increased dV/dt ruggedness
Better efficiency due to best in class FOM RDS (ON) x Eoss and RDS (ON) x Qg
Best in class RDS (ON)
Easy to use/drive
Halogen-free
Enabling higher system efficiency
Enabling higher frequency
Increased power density solutions
Size savings due to reduced cooling requirements
Higher system reliability due to lower operating temperatures
Reduced energy stored in output capacitance(Eoss)
Low switching losses
Outstanding CoolMOS™ quality
For MOSFET paralleling the use of ferrite beads on the gate or separate totem poles is generally recommended.

Показывать

IPB65R045C7ATMA1 Даташит PDF

15 страницы, 1794 КБ

04/30/2013