FDG6322C Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDG6322C

Fairchild

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6Pin SC-70 T/R

Наличие: 38,094 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 21.99

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11418073

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDG6322C характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDG6322C
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11418073
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SC-70-6
Номинальный Ток	220 mA
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	2.6 Ω
Полярность	N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние Мощности	300 mW
Пороговое Напряжение	850 mV
Входная Ёмкость	114 pF
Заряд Затвора	1.40 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	±25.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	220 mA
Время Нарастания	8.00 ns
Входная емкость (Ciss)	9.5pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	300 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	0.3 W
Длина	2 mm
Ширина	1.25 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDG6322C описание продукта

The FDG6322C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Very small package outline
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
Gate-source Zener for ESD ruggedness

Показывать

FDG6322C Даташит PDF

9 страницы, 190 КБ