FDC6321C Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC6321C

Fairchild

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6Pin SuperSOT T/R

Наличие: 1,233 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 30.57

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC9230044

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDC6321C характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC6321C
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC9230044
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальный Ток	680 mA
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.33 Ω
Полярность	N-Channel, P-Channel
Рассеяние Мощности	900 mW
Пороговое Напряжение	800 mV
Входная Ёмкость	63.0 pF
Заряд Затвора	1.10 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	±25.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	680 mA, 460 mA
Время Нарастания	9.00 ns
Входная емкость (Ciss)	50pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	0.9 W
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDC6321C описание продукта

The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness

Показывать

FDC6321C Даташит PDF

8 страницы, 131 КБ