FDC6322C Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC6322C

Fairchild

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.46A 6Pin SuperSOT T/R

Наличие: 0 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: Запросить цену

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC109995642

Категория продукта:

Труба MOS

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

FDC6322C характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC6322C
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC109995642
Жизненный Цикл Продукта	В производстве
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальный Ток	220 mA
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	5.00 Ω
Полярность	N-Channel, P-Channel
Рассеяние Мощности	900 mW
Входная Ёмкость	62.0 pF
Заряд Затвора	1.00 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	±25.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	220 mA, 460 mA
Время Нарастания	8.00 ns
Входная емкость (Ciss)	9.5pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

FDC6322C описание продукта

General Description
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effec transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
Features
■ N-Ch 25 V, 0.22 A, RDS(ON) = 5 W @ VGS= 2.7 V.
■ P-Ch 25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.5 W @ VGS= -2.7 V.
■ Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits. VGS(th) < 1.5 V.
■ Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
■ Replace NPN & PNP digital transistors.

Показывать

FDC6322C Даташит PDF

8 страницы, 103 КБ

11/19/1997

7 страницы, 76 КБ

8 страницы, 113 КБ

03/28/2012

просматривать

FDC6322C Другие Даташит

8 страницы, 95 КБ

04/23/2008

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.53506LO0V1Q0QC0S0