FDC6301N Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC6301N

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6301N Dual MOSFET, Dual N Channel, 220mA, 25V, 4Ω, 4.5V, 850mV

Наличие: 38,094 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 21.92

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC6122934

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 23.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDC6301N характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC6301N
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC6122934
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальное Напряжение (DC)	25.0 V
Номинальный Ток	220 mA
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	4 Ω
Полярность	N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	900 mW
Пороговое Напряжение	850 mV
Входная Ёмкость	9.50 pF
Заряд Затвора	490 pC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	25.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	220 mA
Время Нарастания	4.5 ns
Входная емкость (Ciss)	9.5pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 mW
Время падения	3.2 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	900 mW
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDC6301N описание продукта

The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET"s can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness
-0.5 to 8V Gate to source voltage
0.22A Continuous drain/output current
0.5A Pulsed drain/output current

Показывать

FDC6301N Даташит PDF

5 страницы, 375 КБ

10/07/1997