FDC6301N Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

FDC6301N

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6301N Dual MOSFET, Dual N Channel, 220mA, 25V, 4Ω, 4.5V, 850mV

Наличие: 38,094 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 23.32

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC6122934

Категория продукта:

Труба MOS

Упаковка: TSOT-23-6

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

FDC6301N характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC6301N
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC6122934
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальное Напряжение (DC)	25.0 V
Номинальный Ток	220 mA
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	4 Ω
Полярность	N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	900 mW
Пороговое Напряжение	850 mV
Входная Ёмкость	9.50 pF
Заряд Затвора	490 pC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	25.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	220 mA
Время Нарастания	4.5 ns
Входная емкость (Ciss)	9.5pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 mW
Время падения	3.2 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	900 mW
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

FDC6301N описание продукта

The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET"s can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness
-0.5 to 8V Gate to source voltage
0.22A Continuous drain/output current
0.5A Pulsed drain/output current

Показывать

FDC6301N Даташит PDF

5 страницы, 375 КБ

10/07/1997

5 страницы, 372 КБ

7 страницы, 474 КБ

7 страницы, 474 КБ

6 страницы, 446 КБ

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H4.42143LO25297V42Q0QC0S2