MC33153DG Купить - ON Semiconductor Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MC33153DG

ON Semiconductor

MC33153DG, MOSFET Power Driver, 1A, 2A Half Bridge, 20V, Inverting, 8Pin SOIC

Наличие: 53 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 88.58

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC2429063

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MC33153DG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MC33153DG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC2429063
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	0.00V(min), 15.0V(max)
Время Нарастания/Спада	17 ns
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходное Напряжение	13.9 V
Выходной Ток	1 A
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	560 mW
Время Нарастания	17 ns
Время падения	17 ns
Рабочая температура (Макс)	105 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	11V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	15 V
Напряжение питания (мин)	0 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 105℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MC33153DG описание продукта

The MC33153DG is a Single IGBT Gate Driver for high power applications. Although it is designed for driving discrete and module IGBTs, this device offers a cost effective solution for driving power MOSFETs and bipolar transistors. Device protection features include the choice of de-saturation or over current sensing and under voltage detection.
1A Source/2A sink high current output stage
Protection circuits for both conventional and sense IGBTs
Programmable fault blanking time
Protection against overcurrent and short-circuit
Negative Gate drive capability
Pb-free device

Показывать

MC33153DG Даташит PDF

14 страницы, 164 КБ

08/13/2013