BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IRF1010NPBF | |
| Производитель | Infineon | |
| ЧипСити Номер продукта | CC9941404 | |
| Категория продукта | Труба MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
| Номинальная Мощность | 130 W | |
| Количество Каналов | 1 Channel | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 0.011 Ω | |
| Полярность | N-CH | |
| Рассеяние Мощности | 115 W | |
| Пороговое Напряжение | 4 V | |
| Входная Ёмкость | 3210pF @25V | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 55 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 55 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 85A | |
| Время Нарастания | 76 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 3210pF @25V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 180 W | |
| Время падения | 48 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 175 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 180W (Tc) | |
| Длина | 10 mm | |
| Ширина | 4.4 mm | |
| Высота | 8.77 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
