IPB033N10N5LFATMA1 Купить - Infineon

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Наличие: 12,561 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 245.62

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC75186921

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPB033N10N5LFATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB033N10N5LFATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC75186921
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0027 Ω
Рассеяние Мощности	179 W
Пороговое Напряжение	3.3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Время Нарастания	32 ns
Входная емкость (Ciss)	350pF @50V(Vds)
Время падения	48 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	179000 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB033N10N5LFATMA1 описание продукта

Description:
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
Summary of Features:
Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)
High max. pulse current
High continuous pulse current
Benefits:
Rugged linear mode operation
Low conduction losses
Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Показывать

IPB033N10N5LFATMA1 Даташит PDF

11 страницы, 1004 КБ

02/16/2017