FDMS7672AS Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDMS7672AS

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7672AS MOSFET Transistor, N Channel, 42A, 30V, 0.0032Ω, 10V, 1.9V

Наличие: 4,736 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 50.17

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC91622686

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDMS7672AS характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDMS7672AS
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC91622686
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	Power-56-8
Количество Каналов	1 Channel
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0032 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	45 W
Пороговое Напряжение	1.9 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	19A
Время Нарастания	5 ns
Входная емкость (Ciss)	2820pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	4 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta), 46W (Tc)
Длина	6 mm
Ширина	5 mm
Высота	1.05 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDMS7672AS описание продукта

General Description
The FDMS7672AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest
rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Features
Max rDS(on)= 4.0 mΩ at VGS= 10 V, ID= 18 A
Max rDS(on)= 4.5 mΩ at VGS= 7 V, ID= 16 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
SyncFET Schottky Body Diode
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant

Показывать

FDMS7672AS Даташит PDF

8 страницы, 483 КБ

07/28/2006