FDMS7670 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDMS7670

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7670 MOSFET Transistor, N Channel, 42A, 30V, 0.0029Ω, 10V, 1.9V

Наличие: 41,410 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 33.71

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC69851665

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDMS7670 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDMS7670
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC69851665
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	Power-56
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0029 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	62 W
Пороговое Напряжение	1.9 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	21A
Время Нарастания	6 ns
Входная емкость (Ciss)	4105pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	5 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	62 W
Длина	5 mm
Ширина	6 mm
Высота	1.05 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDMS7670 описание продукта

General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Features
Max rDS(on) = 3.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A
Max rDS(on) = 5.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A
Advanced Package and Silicon design for low rDS(on) and high efficiency
Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery. Provides Schottky-like performance withminimum EMI in sync buck converter applications
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
IMVP Vcore Switching for Notebook
VRM Vcore Switching for Desktop and Server
OringFET / Load Switch
DC-DC Conversion

Показывать

FDMS7670 Даташит PDF

7 страницы, 334 КБ