FDMS6681Z Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDMS6681Z

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS6681Z MOSFET Transistor, P Channel, -49A, -30V, 0.0027Ω, -10V, -1.7V

Наличие: 4,643 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 97.20

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC8425161

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDMS6681Z характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDMS6681Z
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC8425161
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	Power-56-8
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0027 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	73 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	21.1A
Время Нарастания	38 ns
Входная емкость (Ciss)	10380pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	197 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta), 73W (Tc)
Длина	5 mm
Ширина	6 mm
Высота	1.05 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDMS6681Z описание продукта

The FDMS6681Z is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
HBM ESD protection level of 8kV typical
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

FDMS6681Z Даташит PDF

7 страницы, 240 КБ

05/14/2009