STW33N60M2 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STW33N60M2

ST Microelectronics

TO-247 N-CH 650V 26A

Наличие: 17,337 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 174.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC9738261

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STW33N60M2 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STW33N60M2
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC9738261
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.108 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	190 W
Пороговое Напряжение	3 V
Входная Ёмкость	1781 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	26A
Время Нарастания	9.6 ns
Входная емкость (Ciss)	1781pF @100V(Vds)
Максимальная входная мощность	190 W
Время падения	9 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	190W (Tc)
Длина	15.75 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	20.15 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STW33N60M2 описание продукта

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the STW33N60M2 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 190000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh ii technology.

Показывать

STW33N60M2 Даташит PDF

20 страницы, 1087 КБ

просматривать

STW33N60M2 Другие Даташит

54 страницы, 660 КБ

08/23/2006

просматривать

STW33N60M2 Другие Даташит

16 страницы, 1026 КБ

просматривать

STW33N60M2 Упаковка

19 страницы, 1118 КБ

02/21/2013

просматривать

STW33N60M2 Файл уведомления

30 страницы, 325 КБ

04/08/2019

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.93662LO38968V30Q0QC0S1