BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | SIHG47N60E-GE3 | |
| Производитель | Vishay Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC111107526 | |
| Категория продукта | Высоковольтное MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-247-3 | |
| Количество Каналов | 1 Channel | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 0.053 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 357 W | |
| Пороговое Напряжение | 2.5 V | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 600 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 600 V | |
| Время Нарастания | 11 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 4810pF @100V(Vds) | |
| Время падения | 13 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 357 W | |
| Длина | 15.87 mm | |
| Ширина | 5.31 mm | |
| Высота | 20.7 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
