STPSC4H065B-TR Купить - ST Microelectronics Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC4H065B-TR

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC4H065B-TR Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Single, 650V, 4A, 12.5NC, TO-252

Наличие: 270 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 59.96

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC32825154

Категория продукта:

Диоды Шоттки

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

STPSC4H065B-TR характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC4H065B-TR
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC32825154
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Напряжение в Прямом Направлении	1.75V @4A
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	4 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	200 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.75 V
Прямой ток (макс)	4 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения	-40℃ ~ 175℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Высота	2.4 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

STPSC4H065B-TR описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
**Key Features**
No reverse recovery charge in application current range
Switching behavior independent of temperature
High forward surge capability
Insulated package TO-220AC Ins:
Insulated voltage: 2500 V rms
Typical package capacitance: 7 pF

Показывать

STPSC4H065B-TR Даташит PDF

12 страницы, 191 КБ

02/21/2013