SBC856BWT1G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SBC856BWT1G

ON Semiconductor

SC-70 PNP 65V 0.1A

Наличие: 278 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 0.81

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC32818296

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SBC856BWT1G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SBC856BWT1G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC32818296
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SC-70-3
Частота	100 MHz
Количество Стежков	3 Position
Полярность	PNP
Рассеяние Мощности	150 mW
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	100 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	65 V
Непрерывный ток коллектора	0.1A
hFE Min	220
hFE Max	475
Максимальная входная мощность	150 mW
Усиление постоянного тока (hFE)	220
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	150 mW
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

SBC856BWT1G описание продукта

Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP SBC856BWT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Показывать

SBC856BWT1G Даташит PDF

6 страницы, 79 КБ

04/15/2015

просматривать

SBC856BWT1G Даташит PDF

6 страницы, 77 КБ

10/28/2005

просматривать

SBC856BWT1G Даташит PDF

7 страницы, 83 КБ

просматривать

SBC856BWT1G Другие Даташит

6 страницы, 189 КБ

11/17/2011

просматривать

SBC856BWT1G Другие Даташит

4 страницы, 583 КБ

11/08/2011

просматривать

SBC856BWT1G Файл уведомления

7 страницы, 43 КБ

03/04/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.12714LO64173V38Q0QC0S0