BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | MJE253G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC364800 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-126-3 | |
| Частота | 40 MHz | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -100 V | |
| Номинальный Ток | -4.00 A | |
| Безгалогеновый Статус | Halogen Free | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Полярность | PNP | |
| Рассеяние Мощности | 15 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 100 V | |
| Тепловое Сопротивление | 8.34℃/W (RθJC) | |
| Непрерывный ток коллектора | 4A | |
| hFE Min | 40 @200mA, 1V | |
| hFE Max | 180 | |
| Максимальная входная мощность | 1.5 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 40 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 15000 mW | |
| Длина | 7.74 mm | |
| Ширина | 2.66 mm | |
| Высота | 11.04 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Bulk | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2016/06/20 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
