MBRA140T3G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MBRA140T3G

ON Semiconductor

ON Semi MBRA140T3G; SMT Schottky Diode; 40V 1A; 2Pin DO-214AC

Наличие: 19,482 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 14.89

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC40255

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MBRA140T3G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MBRA140T3G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC40255
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	DO-214AC
Номинальное Напряжение (DC)	40.0 V
Номинальный Ток	1.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤1.00 A
Ток Нагрузки	1 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	550mV @1A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	35℃/W (RθJL)
Прямой ток	1 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	30 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	550 mV
Прямой ток (макс)	1 A
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Длина	4.32 mm
Ширина	2.6 mm
Высота	2 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MBRA140T3G описание продукта

The MBRA140T3G is a surface mount Schottky power Rectifier Diode with epoxy moulded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish. This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
Highly stable oxide passivated junction
Very low forward voltage drop
Guarding for stress protection
AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

MBRA140T3G Даташит PDF

5 страницы, 102 КБ

09/25/2013