IXFN44N80 Купить - IXYS Semiconductor Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFN44N80

IXYS Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4Pin SOT-227B

Наличие: 1,089 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 3,136.10

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC64230322

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFN44N80 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFN44N80
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC64230322
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Chassis
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Номинальная Мощность	700 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	165 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	700 W
Пороговое Напряжение	4.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	800 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	44.0 A
Время Нарастания	48 ns
Входная емкость (Ciss)	10000pF @25V(Vds)
Время падения	24 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Температура соединения (Макс)	150 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	700W (Tc)
Материал	Silicon
Вес	0.000036 kg
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFN44N80 описание продукта

The IXFN44N80 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
International standard package
miniBLOC with aluminium nitride isolation
Low RDS (ON) HDMOS™ process
Unclamped inductive switching (UIS) rated
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance
Easy to mount
Space savings
High power density
High dV/dt and low trr

Показывать

IXFN44N80 Даташит PDF

4 страницы, 133 КБ

03/29/2012

просматривать

IXFN44N80 Даташит PDF

2 страницы, 101 КБ

04/03/2012

просматривать

IXFN44N80 Другие Даташит

4 страницы, 129 КБ

08/31/2007

просматривать

IXFN44N80 Другие Даташит

4 страницы, 142 КБ

02/18/2003

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.11556LO59413V27Q0QC0S0