IPW65R019C7FKSA1 Купить - Infineon Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPW65R019C7FKSA1

Infineon

TO-247 N-CH 700V 75A

Наличие: 1,026 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 4,174.27

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC12568536

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPW65R019C7FKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPW65R019C7FKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC12568536
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	446 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.017 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	446 W
Пороговое Напряжение	3.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	650 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	75A
Время Нарастания	27 ns
Входная емкость (Ciss)	9900pF @400V(Vds)
Время падения	5 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	446W (Tc)
Длина	16.13 mm
Ширина	21.1 mm
Высота	5.21 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPW65R019C7FKSA1 описание продукта

The IPW65R019C7 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET providing the world"s lowest RDS (on) with low switching losses and efficiency improvements over the full load range. The new CoolMOS™ C7 series offers a ~50% reduction in turn-off losses (Eoss) compared to the CoolMOS™ CP, offering a GaN-like level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge
Space-saving through reduction of parts
Improved safety margin
Lowest conduction losses
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density

Показывать

IPW65R019C7FKSA1 Даташит PDF

15 страницы, 2020 КБ

04/18/2013