IRF8252PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF8252PBF

Infineon

SOIC N-CH 25V 25A

Наличие: 1,102 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 66.63

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC48027593

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF8252PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF8252PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC48027593
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2.5 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.002 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	1.8 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	25A
Время Нарастания	32 ns
Входная емкость (Ciss)	5305pF @13V(Vds)
Время падения	12 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta)
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF8252PBF описание продукта

The IRF8252PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET housed in an industry standard package. It has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications. It is also suitable for battery protection, high side and low side load switch.
Silicon technology
Very low gate charge
Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
Ultra-low gate impedance
Fully characterized avalanche voltage and current
100% Rg tested
Low thermal resistance
Halogen-free
20V VGS Maximum gate rating

Показывать

IRF8252PBF Даташит PDF

9 страницы, 234 КБ

07/07/2008