IPP65R225C7XKSA1 Купить - Infineon Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPP65R225C7XKSA1

Infineon

TO-220 N-CH 650V 11A

Наличие: 45 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 151.90

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC14277096

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPP65R225C7XKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPP65R225C7XKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC14277096
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	63 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.199 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	63 W
Пороговое Напряжение	3.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	650 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	11A
Время Нарастания	6 ns
Входная емкость (Ciss)	996pF @400V(Vds)
Время падения	10 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	63W (Tc)
Длина	10 mm
Ширина	4.4 mm
Высота	15.65 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPP65R225C7XKSA1 описание продукта

The IPP65R225C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Revolutionary best-in-class RDS (ON)
Reduced energy stored in output capacitance (EOSS)
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
Lowest conduction losses
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Outstanding CoolMOS™ quality
For MOSFET paralleling the use of ferrite beads on the gate or separate totem poles is generally recommended.

Показывать

IPP65R225C7XKSA1 Даташит PDF

15 страницы, 1695 КБ

04/18/2013