IPB65R110CFDAATMA1 Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB65R110CFDAATMA1

Infineon

D2PAK N-CH 650V 31.2A

Наличие: 3,433 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 800.32

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC47768227

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPB65R110CFDAATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB65R110CFDAATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC47768227
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.099 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	277.8 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	650 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	31.2A
Время Нарастания	11 ns
Входная емкость (Ciss)	3240pF @100V(Vds)
Время падения	6 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	277.8W (Tc)
Длина	10 mm
Ширина	9.25 mm
Высота	4.4 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB65R110CFDAATMA1 описание продукта

Summary of Features:
First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market
Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt
Low gate charge value Q g
Low Q rr at repetitive commutation on body diode & lowQ oss
Reduced turn on and turn of delay times
Compliant to AEC Q101 standard
Benefits:
Increased safety margin due to higher breakdown voltage
Reduced EMI appearance and easy to design in
Better light load efficiency
Lower switching losses
Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible
High quality and reliability

Показывать

IPB65R110CFDAATMA1 Даташит PDF

16 страницы, 2325 КБ

03/28/2012