BDV65BG Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BDV65BG

ON Semiconductor

TO-247 NPN 100V 10A

Наличие: 1,144 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 178.29

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC1762204

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BDV65BG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BDV65BG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC1762204
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	100 V
Номинальный Ток	10.0 A
Номинальная Мощность	125 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	125 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	100 V
Непрерывный ток коллектора	10A
hFE Min	1000 @5A, 4V
Максимальная входная мощность	125 W
Усиление постоянного тока (hFE)	1000
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	125000 mW
Длина	15.2 mm
Ширина	4.9 mm
Высота	12.2 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

BDV65BG описание продукта

The BDV65BG is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
High DC current gain
Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Показывать

BDV65BG Даташит PDF

7 страницы, 113 КБ

05/29/2012

просматривать

BDV65BG Другие Даташит

20 страницы, 2663 КБ

04/26/2004

просматривать

BDV65BG Другие Даташит

9 страницы, 229 КБ

05/29/2012

просматривать

BDV65BG Другие Даташит

5 страницы, 476 КБ

04/10/2012

просматривать

BDV65BG Другие Даташит

4 страницы, 107 КБ

09/02/2008

просматривать

BDV65BG Чертежные схемы

2 страницы, 57 КБ

10/26/2011

просматривать

BDV65BG Чертежные схемы

2 страницы, 67 КБ

01/03/2002

просматривать

BDV65BG Файл уведомления

5 страницы, 467 КБ

04/10/2012

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.58787LO77396V39Q1QC0S1