STPSC8H065D Купить - ST Microelectronics Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC8H065D

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC8H065D Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Single, 650V, 8A, 23.5NC, TO-220AC

Наличие: 447 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 93.28

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC55008404

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STPSC8H065D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC8H065D
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC55008404
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-2
Напряжение в Прямом Направлении	1.75V @8A
Тепловое Сопротивление	1.6℃/W (RθJC)
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	8 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	75 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.75 V
Прямой ток (макс)	8 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STPSC8H065D описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
**Key Features**
No reverse recovery charge in application current range
Switching behavior independent of temperature
High forward surge capability
Insulated package TO-220AC Ins:
Insulated voltage: 2500 V rms
Typical package capacitance: 7 pF

Показывать

STPSC8H065D Даташит PDF

14 страницы, 215 КБ

02/21/2013