STPSC16H065CT Купить - ST Microelectronics Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC16H065CT

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC16H065CT Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Dual Common Cathode, 650V, 16A, 23.5NC

Наличие: 1,221 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 921.83

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC32339087

Категория продукта:

Диоды Шоттки

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

STPSC16H065CT характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC16H065CT
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC32339087
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Напряжение в Прямом Направлении	1.75V @8A
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	16 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	420 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.75 V
Прямой ток (макс)	16 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

STPSC16H065CT описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in interleaved or bridge-less topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
**Key Features**
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK® 2 compliant component

Показывать

STPSC16H065CT Даташит PDF

8 страницы, 166 КБ

02/21/2013