STP24N60DM2 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STP24N60DM2

ST Microelectronics

TO-220 N-CH 600V 18A

Наличие: 425 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 56.44

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC26846273

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STP24N60DM2 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STP24N60DM2
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC26846273
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.175 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	150 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	1055 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	18A
Время Нарастания	8.7 ns
Входная емкость (Ciss)	1055pF @100V(Vds)
Максимальная входная мощность	150 W
Время падения	15 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	150W (Tc)
Длина	10.4 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

STP24N60DM2 описание продукта

Create an effective common drain amplifier using this STP24N60DM2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with fdmesh ii plus technology.

Показывать

STP24N60DM2 Даташит PDF

STP24N60DM2 Другие Даташит

22 страницы, 1178 КБ

просматривать

STP24N60DM2 Другие Даташит

17 страницы, 191 КБ

04/22/2019

просматривать

STP24N60DM2 Другие Даташит

13 страницы, 707 КБ

просматривать

STP24N60DM2 Упаковка

21 страницы, 1196 КБ

02/25/2013

просматривать

STP24N60DM2 Файл уведомления

30 страницы, 325 КБ

04/08/2019

просматривать

STP24N60DM2 Файл уведомления

9 страницы, 242 КБ

просматривать

STP24N60DM2 Файл уведомления

3 страницы, 114 КБ

04/08/2019

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.56703LO65676V86Q0QC0S0