NVT2001GM,115 Купить - NXP Преобразователь напряжения и электроуровня

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NVT2001GM,115

NXP

Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 1Channel 6-XSON, SOT886 (1.45x1)

Наличие: 9,198 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 61.46

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

NXP

ЧипСити Номер продукта:

CC46231929

Категория продукта:

Преобразователь напряжения и электроуровня

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

NVT2001GM,115 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NVT2001GM,115
Производитель	NXP
ЧипСити Номер продукта	CC46231929
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Преобразователь напряжения и электроуровня
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	XFDFN-6
Количество Цепей	1 Circuit
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	6 Position
Количество Битов	1 Bit
Количество входов	1 Input
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Количество выходных каналов	1 Channel
Напряжение питания	1V ~ 5.5V
Напряжение питания (Макс)	5.5 V
Напряжение питания (мин)	1.8 V
Вес	2.0400122 mg
Рабочая Температура	-40℃ ~ 85℃ (TA)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

NVT2001GM,115 описание продукта

Overview
The NVT2001/02 are bidirectional voltage level translators operational from 1.0 V to 3.6 V (Vref(A)) and 1.8 V to 5.5 V (Vref(B)), which allow bidirectional voltage translations between 1.0 V and 5 V without the need for a direction pin in open-drain or push-pull applications. Bit widths ranging from 1-bit or 2-bit are offered for level translation application with transmission speeds < 33 MHz for an open-drain system with a 50 pF capacitance and a pull-up of 197 Ω.
When the An or Bn port is LOW, the clamp is in the ON-state and a low resistance connection exists between the An and Bn ports. The low ON-state resistance (Ron) of the switch allows connections to be made with minimal propagation delay. Assuming the higher voltage is on the Bn port when the Bn port is HIGH, the voltage on the An port is limited to the voltage set by VREFA. When the An port is HIGH, the Bn port is pulled to the drain pull-up supply voltage (Vpu(D)) by the pull-up resistors. This functionality allows a seamless translation between higher and lower voltages selected by the user without the need for directional control.
When EN is HIGH, the translator switch is on, and the An I/O are connected to the Bn I/O, respectively, allowing bidirectional data flow between ports. When EN is LOW, the translator switch is off, and a high-impedance state exists between ports. The EN input circuit is designed to be supplied by Vref(B). To ensure the high-impedance state during power-up or power-down, EN must be LOW.
All channels have the same electrical characteristics and there is minimal deviation from one output to another in voltage or propagation delay. This is a benefit over discrete transistor voltage translation solutions, since the fabrication of the switch is symmetrical. The translator provides excellent ESD protection to lower voltage devices, and at the same time protects less ESD-resistant devices.
MoreLess
## Features
* Provides bidirectional voltage translation with no direction pin
* Less than 1.5 ns maximum propagation delay
* Allows voltage level translation between:
* 1.0 V Vref(A) and 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V or 5 V Vref(B)
* 1.2 V Vref(A) and 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V or 5 V Vref(B)
* 1.8 V Vref(A) and 3.3 V or 5 V Vref(B)
* 2.5 V Vref(A) and 5 V Vref(B)
* 3.3 V Vref(A) and 5 V Vref(B)
* Low 3.5 Ω ON-state connection between input and output ports provides less signal distortion
* 5 V tolerant I/O ports to support mixed-mode signal operation
* High-impedance An and Bn pins for EN = LOW
* Lock-up free operation
* Flow through pinout for ease of printed-circuit board trace routing
* ESD protection exceeds 4 kV HBM per JESD22-A114 and 1000 V CDM per JESD22-C101
## Features

Показывать

NVT2001GM,115 Даташит PDF

8 страницы, 3541 КБ

07/29/2014