NDS332P Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDS332P

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS332P MOSFET Transistor, P Channel, 1A, -20V, 300mohm, -4.5V, -600mV

Наличие: 3,915 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 19.60

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC18030683

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDS332P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDS332P
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC18030683
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	-20.0 V
Номинальный Ток	-1.00 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	300 mΩ
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	500 mW
Напряжение Сток-исток (Vds)	20 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	20 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.00 A
Время Нарастания	30 ns
Входная емкость (Ciss)	195pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	27 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500 mW
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDS332P описание продукта

The NDS332P is a P-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild"s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications such as battery powered circuits where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation
Proprietary package design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
High density cell design for extremely low RDS (ON)
Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Показывать

NDS332P Даташит PDF

7 страницы, 256 КБ