NDP6060L Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDP6060L

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Наличие: 5,755 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 135.61

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12310515

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDP6060L характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDP6060L
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12310515
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	60.0 V
Номинальный Ток	48.0 A
Номинальная Мощность	100 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	25 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	100 W
Пороговое Напряжение	2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	60 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±16.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	48.0 A
Время Нарастания	320 ns
Входная емкость (Ciss)	2000pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	100 W
Время падения	161 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	100W (Tc)
Длина	10.67 mm
Ширина	4.7 mm
Высота	16.3 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDP6060L описание продукта

The NDP6060L is a logic level N-channel enhancement-mode power FET produced using Fairchild"s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
High density cell design for extremely low RDS (ON)

Показывать

NDP6060L Даташит PDF

12 страницы, 361 КБ

03/03/1998