NCV5183DR2G Купить - ON Semiconductor

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NCV5183DR2G

ON Semiconductor

Driver 4.3A 2Out High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv Automotive 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 982 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 161.59

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC102301379

3D модель

Оплата:

Обновлено 02.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NCV5183DR2G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NCV5183DR2G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC102301379
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Время Нарастания/Спада	12 ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Количество Стежков	8 Position
Время Нарастания	12 ns
Время падения	12 ns
Время падения (Макс)	12 ns
Время падения (Макс)	12 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	9V ~ 18V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	9 V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NCV5183DR2G описание продукта

The NCP5183 is a High Voltage High Current Power MOSFET Driver providing two outputs for direct drive of 2 N−channel power MOSFETs arranged in a half−bridge (or any other high−side + low−side) configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the High−side power switch. The driver works with 2 independent inputs to accommodate any topology (including half−bridge, asymmetrical half−bridge, active clamp and full−bridge…).
Features | | Benefits
---|---|---
| | | | |
Output Source / Sink Current Capability 4.3 A / 4.3 A
| |
Can drive big MOSFET, IGBT"s
Extended Allowable Negative Bridge Pin Voltage Swing to – 10 V
| |
Rugged design
Voltage Range up to 600 V with dV/dt Immunity ±50 V/ns
| |
Gate Drive Supply Range from 9 V to 18 V
| |
Automotive Qualified to AEC Q100
| |

Показывать

NCV5183DR2G Даташит PDF

15 страницы, 339 КБ

12/19/2017

просматривать

NCV5183DR2G Другие Даташит

15 страницы, 339 КБ

02/15/2017

просматривать

NCV5183DR2G Другие Даташит

1 страницы, 59 КБ

03/20/2017

просматривать

NCV5183DR2G Другие Даташит

1 страницы, 26 КБ

03/20/2017

просматривать

NCV5183DR2G Другие Даташит

1 страницы, 92 КБ

03/20/2017

просматривать

NCV5183DR2G Чертежные схемы

3 страницы, 62 КБ

02/16/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/02 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.61173LO37836V14Q0QC0S0