MBR120VLSFT1G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MBR120VLSFT1G

ON Semiconductor

ON Semi MBR120VLSFT1G; SMT Schottky Diode; 20V 1A; 2Pin SOD-123FL

Наличие: 135,701 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 19.60

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC528852

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MBR120VLSFT1G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MBR120VLSFT1G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC528852
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	SOD-123-2
Номинальное Напряжение (DC)	20.0 V
Номинальный Ток	1.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤1.00 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	0.34 V
Полярность	Standard
Прямой ток	1 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	45 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	340 mV
Прямой ток (макс)	1 A
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Температура соединения (Макс)	125 ℃
Длина	2.9 mm
Ширина	1.8 mm
Высота	0.9 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-65℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MBR120VLSFT1G описание продукта

The MBR120VLSFT1G is a surface mount Schottky Power Rectifier with an epoxy molded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish. This device uses the Schottky barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. It is ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as freewheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
Cathode band polarity designator
Guard ring for stress protection
Optimized for very low forward voltage
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

MBR120VLSFT1G Даташит PDF

5 страницы, 65 КБ

10/02/2014