L6385E Купить - ST Microelectronics Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

L6385E

ST Microelectronics

IGBT/MOSFET Driver, High Side And Low Side, -0.3V to 17V Supply, 650mA Out, 105ns Delay, DIP-8

Наличие: 616 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 130.13

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC10220907

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

L6385E характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	L6385E
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC10220907
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	DIP-8
Частота	400 kHz
Напряжение Питания (DC)	-300 mV (min)
Номинальная Мощность	750 mW
Время Нарастания/Спада	50ns, 30ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	580 V
Выходной Ток	400 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	0.75 W
Время Нарастания	50 ns
Время падения	30 ns
Время падения (Макс)	30 ns
Время падения (Макс)	50 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-45 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	750 mW
Напряжение питания	17 V
Напряжение питания (Макс)	17 V
Напряжение питания (мин)	0.3 V
Длина	10.92 mm
Ширина	6.6 mm
Высота	3.32 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2014/06/16
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

L6385E описание продукта

The L6385E is a simple and compact high voltage Gate Driver manufactured with the BCD™ offline technology and able to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT device. The high-side (floating) section is able to work with voltage rail up to 600V. Both device outputs can independently sink and source 650 and 400mA respectively and can be simultaneously driven high. The L6385E device provides two input pins and two output pins and guarantees the outputs toggle in phase with inputs. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. The bootstrap diode is integrated inside the device, allowing a more compact and reliable solution. The L6385E features the UVLO protection on both lower and upper driving sections (VCC and Vboot), ensuring greater protection against voltage drops on the supply lines.
CMOS/TTL Schmitt-trigger inputs with hysteresis and pull-down
Under-voltage lockout on lower and upper driving section
Internal bootstrap diode structure
Outputs in phase with inputs
dV/dt immunity of ±50V/ns in full temperature range
50/30ns Rise/fall with 1nF load switching time

Показывать

L6385E Даташит PDF

17 страницы, 313 КБ

02/21/2013