IXFN230N10 Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFN230N10

IXYS Semiconductor

SOT-227B N-CH 100V 230A

Наличие: 5,590 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 3,261.81

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC41733110

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFN230N10 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFN230N10
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC41733110
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Chassis
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	4 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.006 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	700 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	230 A
Время Нарастания	150 ns
Входная емкость (Ciss)	19000pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 W
Время падения	60 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	700W (Tc)
Ширина	25.42 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFN230N10 описание продукта

The IXFN230N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
International standard packages
MiniBLOC with aluminium nitride isolation
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche rating
Guaranteed FBSOA
Low package inductance
Easy to mount
Space saving

Показывать

IXFN230N10 Даташит PDF

5 страницы, 138 КБ

12/13/2008

просматривать

IXFN230N10 Даташит PDF

5 страницы, 144 КБ

03/29/2012

просматривать

IXFN230N10 Даташит PDF

2 страницы, 76 КБ

03/30/2012

просматривать

IXFN230N10 Даташит PDF

6 страницы, 137 КБ

03/16/2018

просматривать

IXFN230N10 Даташит PDF

5 страницы, 132 КБ

07/18/2014

просматривать

IXFN230N10 Другие Даташит

2 страницы, 73 КБ

09/25/2000

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.38353LO44920V37Q0QC0S2