IRG4BC20FDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRG4BC20FDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Наличие: 3,293 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 112.88

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5852800

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRG4BC20FDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4BC20FDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5852800
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	60 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	60 W
Время Нарастания	20.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	37 ns
Максимальная входная мощность	60 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	60000 mW
Длина	10.54 mm
Ширина	4.69 mm
Высота	8.77 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRG4BC20FDPBF описание продукта

The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
Optimized for specific application conditions
Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Показывать

IRG4BC20FDPBF Даташит PDF

11 страницы, 314 КБ

01/07/2004

просматривать

IRG4BC20FDPBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRG4BC20FDPBF Другие Даташит

73 страницы, 3004 КБ

просматривать

IRG4BC20FDPBF Чертежные схемы

2 страницы, 176 КБ

08/19/2015

просматривать

IRG4BC20FDPBF Файл уведомления

6 страницы, 397 КБ

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.29596LO90669V63Q0QC0S0