IRFL024NPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFL024NPBF

Infineon

SOT-223 N-CH 55V 4A

Наличие: 1,229 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 30.57

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC15903364

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFL024NPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFL024NPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC15903364
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Номинальная Мощность	2.1 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.075 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.1 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	4A
Время Нарастания	13.4 ns
Входная емкость (Ciss)	400pF @25V(Vds)
Время падения	17.7 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1W (Ta)
Длина	6.7 mm
Ширина	3.7 mm
Высота	1.8 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Rail, Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFL024NPBF описание продукта

The IRFL024NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
Advanced process technology
Dynamic dV/dt rating
Fully avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance

Показывать

IRFL024NPBF Даташит PDF

8 страницы, 135 КБ

05/28/2004