IRF8788PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF8788PBF

Infineon

SOIC N-CH 30V 24A

Наличие: 975 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 35.28

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC21846492

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF8788PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF8788PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC21846492
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2.5 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0023 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	1.8 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	24A
Время Нарастания	24 ns
Входная емкость (Ciss)	5720pF @15V(Vds)
Время падения	11 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta)
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF8788PBF описание продукта

The IRF8788PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.
Very low gate charge
Low gate impedance
Fully characterized avalanche voltage and current
Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
20V VGS Maximum gate rating

Показывать

IRF8788PBF Даташит PDF

9 страницы, 228 КБ

08/18/2008