IRF7809AVPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF7809AVPBF

Infineon

SOIC N-CH 30V 13.3A

Наличие: 442 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 64.44

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC12133437

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 30.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF7809AVPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF7809AVPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC12133437
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC
Номинальная Мощность	2.5 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.007 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	1 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	13.3A
Время Нарастания	36 ns
Входная емкость (Ciss)	3780pF @16V(Vds)
Время падения	10 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Rail, Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF7809AVPBF описание продукта

The IRF7809AVPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for vapour phase, infrared, convection or wave soldering techniques. This new device employs advanced HEXFET® power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of ON-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS (ON), gate charge and CdV/dt-induced turn-ON immunity. It offers particularly low RDS (ON) and high CdV/dt immunity for synchronous FET applications. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application.
Low conduction losses
Low switching losses
100% Rg tested
Low static drain-to-source ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fast switching
Fully avalanche rating

Показывать

IRF7809AVPBF Даташит PDF

8 страницы, 594 КБ

08/23/2005