IKW40N120H3FKSA1 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IKW40N120H3FKSA1

Infineon

INFINEON IKW40N120H3FKSA1 IGBT Single Transistor, 40A, 2.4V, 483W, 1.2kV, TO-247, 3Pins

Наличие: 32 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 652.20

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1461083

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IKW40N120H3FKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKW40N120H3FKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1461083
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	483 W
Входная Ёмкость	2330 pF
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	355 ns
Максимальная входная мощность	483 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	483 W
Длина	16.03 mm
Ширина	5.16 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IKW40N120H3FKSA1 описание продукта

The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
Low switching losses for high efficiency
Fast switching behaviour with low EMI emissions
Low gate resistor selection possible (down to 5R) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Excellent performance
Low switching and conduction losses

Показывать

IKW40N120H3FKSA1 Даташит PDF

16 страницы, 2186 КБ

11/26/2014