FOD817 Купить - ON Semiconductor Оптопара/ оптоизолятор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FOD817

ON Semiconductor

DIP4 Through Hole Single Channel 70V 5000Vrms Phototransistor Optocoupler

Наличие: 552 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 22.78

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC9927096

Категория продукта:

Оптопара/ оптоизолятор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FOD817 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FOD817
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC9927096
Категория продукта	Оптопара/ оптоизолятор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	DIP-4
Время Нарастания/Спада	4µs, 3µs
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	4 Position
Напряжение в Прямом Направлении	1.2 V
Рассеяние Мощности	200 mW
Время Нарастания	4 µs
Напряжение Изоляции	5000 Vrms
Прямой ток	50 mA
Выходное напряжение (Макс)	70 V
Входной ток (мин)	50 mA
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.4 V
Прямой ток (макс)	50 mA
Время падения	3 µs
Время падения (Макс)	18 µs
Время падения (Макс)	18 µs
Рабочая температура (Макс)	110 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 110℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2017/07/07
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FOD817 описание продукта

The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package..
Features
---
|
AC Input Response (FOD814)
Current Transfer Ratio in Selected Groups:
FOD814: 20-300%
FOD814A: 50-150%
FOD817: 50-600%
FOD817A: 80-160%
FOD817B: 130-260%
FOD817C: 200-400%
FOD817D: 300-600%
Minimum BVCEO of 70 V Guaranteed
Safety and Regulatory Approvals
UL1577, 5,000 VACRMS for 1 Minute
DIN EN/IEC60747-5-5

Показывать

FOD817 Даташит PDF

12 страницы, 718 КБ

03/27/2002