FOD3182 Купить - Fairchild Оптопара/ оптоизолятор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FOD3182

Fairchild

FOD3182 Series 10 - 30V 3A High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler - DIP-8

Наличие: 3,729 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 140.32

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC10471340

Категория продукта:

Оптопара/ оптоизолятор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FOD3182 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FOD3182
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC10471340
Категория продукта	Оптопара/ оптоизолятор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	DIP-8
Время Нарастания/Спада	38ns, 24ns
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Напряжение в Прямом Направлении	1.43 V
Входной Ток	16 mA
Рассеяние Мощности	295 mW
Время Нарастания	38 ns
Напряжение Изоляции	5000 Vrms
Прямой ток	25 mA
Входной ток (мин)	25 mA
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.8 V
Прямой ток (макс)	25 mA
Время падения	24 ns
Время падения (Макс)	24 ns
Время падения (Макс)	38 ns
Рабочая температура (Макс)	100 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	295 mW
Напряжение питания	10V ~ 30V
Высота	3.94 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 100℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

FOD3182 описание продукта

The FOD3182 is a 3A output current high-speed MOSFET Gate Drive Optocoupler consists of an aluminium gallium arsenide (AlGaAs) LED (LED) optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited for high frequency driving of power MOSFETS used in Plasma Display Panels (PDPs), motor control inverter applications and high performance DC-DC converters. The device is packaged in an 8-pin dual in-line housing compatible with 260°C reflow processes for lead free solder compliance. High noise immunity characterized by 50kV/µs (typical) common mode rejection. Use of P-Channel MOSFETs at output stage enables output voltage swing close to the supply rail (rail-to-rail output). Undervoltage lockout protection (UVLO) with hysteresis, optimized for driving MOSFETs.
3A Minimum peak output current
Fast switching speed
210ns maximum propagation delay
65ns maximum pulse width distortion
Fast output rise/fall time
Offers lower dynamic power dissipation
250kHz maximum switching speed
Wide Vcc operating range from 10 to 30V
5000Vrms for one minute Isolation
Minimum creepage distance of 8mm
Minimum clearance distance of 10mm to 16mm (option TV or TSV)
Minimum insulation thickness of 0.5mm
RDS (ON) of 1.5R (typical) offers lower power dissipation
10kV/m Minimum common mode rejection

Показывать

FOD3182 Даташит PDF

23 страницы, 746 КБ