FDS6990AS Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDS6990AS

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 8,272 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 53.31

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC48734330

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDS6990AS характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDS6990AS
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC48734330
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.017 Ω
Полярность	Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1.7 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	7.50 mA
Входная емкость (Ciss)	550pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	900 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1600 mW
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDS6990AS описание продукта

The FDS6990AS is a dual N-channel MOSFET designed to replace a dual MOSFET and two Schottky diodes in synchronous DC-to-DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS (ON) and low gate charge. Each MOSFET includes integrated Schottky diodes using Fairchild"s monolithic SyncFET technology. The performance of the transistor as the low-side switch in a synchronous rectifier is similar to the performance of the FDS6990A in parallel with a Schottky diode.
Low gate charge
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
±20V Gate to source voltage
7.5A Continuous drain current
20A Pulsed drain current

Показывать

FDS6990AS Даташит PDF

8 страницы, 712 КБ

03/29/2005