FDD8880 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDD8880

Fairchild

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

Наличие: 41,621 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 44.68

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC33890544

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDD8880 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDD8880
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC33890544
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	58.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.007 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	55 W
Пороговое Напряжение	2.5 V
Входная Ёмкость	1.26 nF
Заряд Затвора	23.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	58.0 A
Время Нарастания	91 ns
Входная емкость (Ciss)	1260pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	55 W
Время падения	32 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	55W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDD8880 описание продукта

The FDD8880 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Low gate charge
High power and current handling capability

Показывать

FDD8880 Даташит PDF

11 страницы, 499 КБ

11/18/2004