FDC6303N Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC6303N

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6303N Dual MOSFET, Dual N Channel, 680mA, 25V, 450mohm, 4.5V, 800mV

Наличие: 9,126 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 23.49

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11623440

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDC6303N характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC6303N
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11623440
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальное Напряжение (DC)	25.0 V
Номинальный Ток	680 mA
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	450 mΩ
Полярность	N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	900 mW
Пороговое Напряжение	800 mV
Входная Ёмкость	50.0 pF
Заряд Затвора	1.64 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	25.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	680 mA
Время Нарастания	8.5 ns
Входная емкость (Ciss)	50pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 mW
Время падения	13 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	0.9 W
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDC6303N описание продукта

The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness
Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
8V Gate-source voltage
0.68A Continuous drain/output current
2A Pulsed drain/output current

Показывать

FDC6303N Даташит PDF

5 страницы, 79 КБ

09/22/1997

просматривать

FDC6303N Другие Даташит

8 страницы, 95 КБ

04/23/2008

просматривать

FDC6303N Чертежные схемы

1 страницы, 46 КБ

05/06/2015

просматривать

FDC6303N Другие ссылки

1 страницы, 140 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/31 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.447LO44127V13Q0QC0S0