FDC5612 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC5612

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC5612 MOSFET Transistor, N Channel, 4.3A, 60V, 55mohm, 10V, 2.2V

Наличие: 19,059 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 43.86

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC15759569

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 27.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDC5612 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC5612
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC15759569
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальное Напряжение (DC)	60.0 V
Номинальный Ток	4.30 A
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	55 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	1.6 W
Пороговое Напряжение	2.2 V
Входная Ёмкость	650 pF
Заряд Затвора	12.5 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	60.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	4.30 A
Время Нарастания	8 ns
Входная емкость (Ciss)	650pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	800 mW
Время падения	6 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1.6W (Ta)
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDC5612 описание продукта

The FDC5612 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary PowerTrench® technology. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
12.5nC Typical low gate charge

Показывать

FDC5612 Даташит PDF

5 страницы, 79 КБ

06/10/1999