Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | BD159G | |
Производитель | ON Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC24872390 | |
Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Through Hole | |
Количество Выводов | 3 Pin | |
Корпус/Пакет | TO-126-3 | |
Номинальное Напряжение (DC) | 350 V | |
Номинальный Ток | 500 mA | |
Количество Стежков | 3 Position | |
Полярность | NPN | |
Рассеяние Мощности | 20 W | |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 350 V | |
Непрерывный ток коллектора | 0.5A | |
hFE Min | 30 @50mA, 10V | |
Максимальная входная мощность | 20 W | |
Усиление постоянного тока (hFE) | 30 | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 20000 mW | |
Материал | Silicon | |
Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Bulk | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
ECCN кодекс | EAR99 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн