| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | 2N6317 | |
| Производитель | Microsemi | |
| ЧипСити Номер продукта | CC61356333 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-66 | |
| Рассеяние Мощности | 115 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 60 V | |
| hFE Min | 25 @2.5A, 4V | |
| Максимальная входная мощность | 90 W | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 115000 mW | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 200℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tray | |
| RoHS Комплаенс | Non-Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | ||
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
>Эти устройства 2N6317 и 2N6318 являются отличным выбором для применения в ненастроенных усилителях. Они также идеально подходят для широкого спектра применений, таких как переключатели питания и усилители общего назначения. Microsemi также предлагает множество других продуктов, которые удовлетворяют требованиям как более высоких, так и более низких уровней регулирования напряжения питания.<
>