BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | 2N6042G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC2581319 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -100 V | |
| Номинальный Ток | -8.00 A | |
| Выходное Напряжение | 60 V | |
| Выходной Ток | 8 A | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Полярность | PNP, P-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 75 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 100 V | |
| Тепловое Сопротивление | 57℃/W (RθJA) | |
| Непрерывный ток коллектора | 8A | |
| hFE Min | 1000 @3A, 4V | |
| hFE Max | 20000 | |
| Максимальная входная мощность | 75 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 100 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 75000 mW | |
| Входное напряжение | 2.8 V | |
| Длина | 10.28 mm | |
| Ширина | 4.83 mm | |
| Высота | 15.75 mm | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
