VND3NV04 Купить - ST Microelectronics Импульсный источник питания

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

VND3NV04

ST Microelectronics

Power Switch Lo Side 1Out 3.5A 0.12Ω Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

Наличие: 3,560 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 69.48

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC38543061

Категория продукта:

Импульсный источник питания

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

VND3NV04 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	VND3NV04
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC38543061
Категория продукта	Импульсный источник питания
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходной Ток	7 A
Ток Питания	0.1 mA
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	120 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	35 W
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	40.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.50 A
Выходной ток (Макс)	3.5 A
Количество входов	1 Input
Рассеиваемая Мощность (Макс)	35000 mW
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

VND3NV04 описание продукта

Description
The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.
Features
■ Linear current limitation
■ Thermal shutdown
■ Short circuit protection
■ Integrated clamp
■ Low current drawn from input pin
■ Diagnostic feedback through input pin
■ ESD protection
■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
■ Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

Показывать

VND3NV04 Даташит PDF

26 страницы, 356 КБ

09/20/2013

просматривать

VND3NV04 Даташит PDF

26 страницы, 464 КБ

04/07/2011

26 страницы, 448 КБ

26 страницы, 500 КБ

03/28/2012

49 страницы, 997 КБ

31 страницы, 1147 КБ

09/20/2013

просматривать

VND3NV04 Даташит PDF

21 страницы, 536 КБ

просматривать

VND3NV04 Другие Даташит

26 страницы, 484 КБ

04/07/2011

просматривать

VND3NV04 Примечание по применению

37 страницы, 431 КБ

09/23/2013

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.32769LO39765V119Q0QC0S1